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詳細摘要： RTS-9型雙電測四探針鋰電極片電阻測試儀是一款可以測量鋰電池極片電阻率的儀器。采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新技術利用電流探針、電壓探針的變換，在...

詳細摘要： RTS-8四探針電阻率測試儀器是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導...

詳細摘要： FT/HP系列四探針測試儀探頭采用綜合性能優(yōu)異的航空工程塑料、機械結(jié)構優(yōu)良彈huang片、耐磨和硬度高的探針研制的測量數(shù)據(jù)穩(wěn)定、可靠、準確度高、耐用性能好四探針...

詳細摘要： 手動電動四探針測試儀測試臺S-2A型四探針測試臺專為實驗室使用而制作的。該測試臺設計別致、操作簡易、重量輕、并有微調(diào)手輪，便于探針與樣品的精確接觸。載物臺：方盤...

詳細摘要： RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計...

詳細摘要： SB100A/21A四探針金屬/半導體電阻率測量儀是SB100A/21（及SB100A/3）的升級版，其為用戶提供了使用SB100A/3進行四探針測試及實驗的配...

詳細摘要： SB100A/20A四探針金屬/半導體電阻率測量儀是SB100A/20（及SB100A/2）的升級版，其為用戶提供了使用SB100A/20進行四探針測試及實驗的...

詳細摘要： CV-5000型電容電壓特性測試儀在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段，通過C-V測試達到優(yōu)化生...

詳細摘要： CV-2000型電容電壓特性測試儀作為組成半導體器件的基本結(jié)構的PN結(jié)具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN...

詳細摘要： LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目...

詳細摘要： PN-12型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

詳細摘要： PN-30型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

詳細摘要： RTS-1345型全自動四探針測試系統(tǒng)可對樣品進行單點、五點、九點、多點、直徑掃描、面掃描等模式的全自動測試；屏蔽測試，*消除光線對樣品測試的影響，保證測量的準...

詳細摘要： ST-21L型方塊電阻測試儀采用大規(guī)模集成電路作為儀器的主要部分，測量準確穩(wěn)定，低功耗；以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；采用單個電池供電，帶電池欠壓指示；體積...

詳細摘要： ST-21H型方塊電阻測試儀是一種依照類似的國家標準和美國A.S.T.M標準，專門測量半導體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測量一般半導體材料、導電薄膜（...

詳細摘要： ST-21型方塊電阻測試儀以大規(guī)模集成電路為主要核心；用基準電源和運算放大器組成高精度穩(wěn)流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數(shù)，使儀器具有體積小...

詳細摘要： RTS-3型手持式四探針測試儀測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構緊湊、易操作的手持式設計；體積僅為：185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：3...

詳細摘要： RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計...

詳細摘要： RTS-11型金屬四探針測試儀于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；是運用四探針...

詳細摘要： RTS-5型雙電測四探針測試儀測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。...